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一種新型的大功率半絕緣GaAs光導開關試驗研究

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  • 更新日期:2020-01-07 10:22:23
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本文設計了一種低歐姆接觸電阻率的半絕緣GaAs光導開關,開關由0.6mm 厚的半絕緣GaAs材料制作,電極間隙為10mm,開關電極面制作高反膜,背面制作增透膜,使用波長1064nm、能量5.4mJ、觸發激光脈寬25ns的激光脈沖觸發光導開關,在直流電壓6kV時,通過計算得到光導開關的導通電阻僅為0.61Ω。
 
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